英特尔已调整了位于俄亥俄州纽奥尔巴尼、利金县的“俄亥俄一号”半导体制造基地的建设计划，将其投产时间推迟至下个十年。第一阶段（Mod 1）现计划于2030年完工，生产预计在2030年至2031年间启动。第二阶段（Mod 2）预计于2031年完成，2032年开始运营。公司正在放缓工厂建设速度，以使其投资节奏与市场需求保持一致。不过，英特尔强调，如果需要，其仍可加快建设进度。

英特尔最初计划在2025年完成俄亥俄基地的第一阶段建设，该基地曾被称为“硅谷之心”。然而，由于市场需求不明确的大背景下巨额投资，英特尔将第一模块的完工时间推迟至2027或2028年。如今，公司认为其俄亥俄工厂的需求要到2030年及以后才会显现。此次延期表明，英特尔预计其生产能力需求不会在短期内激增，这可能不是一个特别乐观的信号。但另一方面，英特尔目前无需在俄亥俄基地投入巨资，这对其财务状况来说是个好消息，因为公司正努力恢复盈利能力。生产设备投资是半导体制造工厂中最为昂贵的部分，通过推迟这些投资，英特尔大幅削减了2025年至2028年间的资本支出。

即将建成的园区将占地约1000英亩（4平方公里），可容纳多达八座半导体制造工厂，并为支持运营和产业合作伙伴提供空间。英特尔此前估计，全面开发该基地将需要约1000亿美元的投资。第一轮投资定为约280亿美元。

鉴于俄亥俄一号（或“硅谷之心”）晶圆厂的新时间表，预计新设施将采用公司在14A和14A-E之后开发的工艺技术，后者目前计划于2026至2027年间推出。这些节点将依赖ASML的Twinscan EXE:5200或更先进的高数值孔径（High-NA）EUV工具，每台价格高达3.5亿美元。

英特尔执行副总裁、全球运营首席官兼英特尔代工制造业务总经理纳加·钱德拉塞卡兰（Naga Chandrasekaran）在给员工的信中写道：“我们正采取审慎的态度，确保以财务负责的方式完成项目，为‘俄亥俄一号’的未来成功奠定基础。我们将以较慢的节奏继续建设，同时保留根据客户需求加速施工和运营启动的灵活性。但我想对大家坦诚透明，说明我们当前的计划。”

值得注意的是Naga Chandrasekaran是英特尔去年7月刚刚从美光挖过来的，也是印度裔，看来英特尔依然还是对印度裔高管情有独钟，希望寄予英特尔能在这位印度裔工艺高管的带领下，赶超三星、紧追台积电。

英特尔于2022年开始该基地的建设工作。此后，现场施工进展显著。项目最近达成一个里程碑，地下基础施工已完成，地上建筑施工也已启动。据英特尔介绍，自施工开始以来，该基地已接收36批超大货物（截至2月4日），包括四批含工厂空气分离装置的超大型货物。项目已投入超过640万工时，涵盖地下管道、超过20万立方码的混凝土以及次级公用设施沟（SUTs）等关键安装工作。办公建筑的建设也在逐步成型。

关于俄亥俄工厂的一个有趣细节是，尽管时间表有所调整，招聘工作已然启动。俄亥俄的员工正在亚利桑那州、新墨西哥州和俄勒冈州接受培训，为当地工厂的启动做准备。据推测，英特尔正在培训员工安装生产工具和其他机械设备。随着运营日期的临近，劳动力计划预计将进一步扩大。